IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗與BJT（雙極型晶體管）的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢(shì)。其核心結(jié)構(gòu)由四層半導(dǎo)體（P+/N-/P-body/N+）和MOS柵極構(gòu)成，形成類(lèi)似“MOS柵控雙極晶體管”的復(fù)合結(jié)構(gòu)。IGBT作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，被稱(chēng)為電力電子行業(yè)里的“CPU”。

IGBT是目前發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。2024年全球IGBT的市場(chǎng)規(guī)模約為75億美元，較上年增長(zhǎng)5.6%。受益于新能源汽車(chē)、風(fēng)光儲(chǔ)、工業(yè)控制等領(lǐng)域需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)， 2025年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到80億美元。

在雙碳戰(zhàn)略驅(qū)動(dòng)和人工智能浪潮下，市場(chǎng)對(duì)能源轉(zhuǎn)換效率、設(shè)備智能化水平的要求持續(xù)提升，進(jìn)而推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)各類(lèi)半導(dǎo)體功率器件需求持續(xù)增加，IGBT等半導(dǎo)體功率器件將成為國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中不可或缺的電子元器件。2024年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到223.3億元，較上年增長(zhǎng)10.7%。2025年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到244.9億元。