IGBT作為電力電子領(lǐng)域的“CPU”，其技術(shù)演進(jìn)與市場(chǎng)擴(kuò)張緊密關(guān)聯(lián)于新能源汽車、可再生能源等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。國(guó)內(nèi)廠商在政策扶持與技術(shù)突破下加速國(guó)產(chǎn)化替代，但高端技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同仍需持續(xù)投入。隨著SiC材料的商業(yè)化落地，IGBT與SiC的融合將成為下一代功率半導(dǎo)體的核心方向。

一、IGBT的定義

IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗與BJT（雙極型晶體管）的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢(shì)。其核心結(jié)構(gòu)由四層半導(dǎo)體（P+/N-/P-body/N+）和MOS柵極構(gòu)成，形成類似“MOS柵控雙極晶體管”的復(fù)合結(jié)構(gòu)。IGBT作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。

IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上游為半導(dǎo)體材料及半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商；中游為IGBT芯片的設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)過(guò)程，IGBT按照產(chǎn)品的封裝形式分類可分為IGBT單管、IGBT模塊和智能功率模塊（IPM）；下游廣泛應(yīng)用于新能源汽車、消費(fèi)電子、光伏發(fā)電、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)、軌道交通等行業(yè)。

二、IGBT行業(yè)發(fā)展政策

近年來(lái)，中國(guó)IGBT行業(yè)受到各級(jí)政府的高度重視和國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的重點(diǎn)支持。國(guó)家陸續(xù)出臺(tái)了多項(xiàng)政策，鼓勵(lì)I(lǐng)GBT行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新，《新產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化領(lǐng)航工程實(shí)施方案（2023─2035年）》《制造業(yè)可靠性提升實(shí)施意見(jiàn)》《關(guān)于推動(dòng)能源電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的指導(dǎo)意見(jiàn)》等產(chǎn)業(yè)政策為IGBT行業(yè)的發(fā)展提供了明確、廣闊的市場(chǎng)前景，為企業(yè)提供了良好的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)環(huán)境。

三、IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

1.全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模

IGBT是目前發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。2024年全球IGBT的市場(chǎng)規(guī)模約為75億美元，較上年增長(zhǎng)5.6%。受益于新能源汽車、風(fēng)光儲(chǔ)、工業(yè)控制等領(lǐng)域需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)， 2025年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到80億美元。

2.中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模

在雙碳戰(zhàn)略驅(qū)動(dòng)和人工智能浪潮下，市場(chǎng)對(duì)能源轉(zhuǎn)換效率、設(shè)備智能化水平的要求持續(xù)提升，進(jìn)而推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)各類半導(dǎo)體功率器件需求持續(xù)增加，IGBT等半導(dǎo)體功率器件將成為國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中不可或缺的電子元器件。2024年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到223.3億元，較上年增長(zhǎng)10.7%。2025年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到244.9億元。

3.中國(guó)IGBT產(chǎn)量

IGBT被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”，廣泛應(yīng)用于電機(jī)節(jié)能、軌道交通、新能源汽車等領(lǐng)域。目前在軌道交通領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，在新能源汽車領(lǐng)域，IGBT是電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，我國(guó)IGBT產(chǎn)量快速增長(zhǎng)。2024年中國(guó)IGBT產(chǎn)量達(dá)到3859萬(wàn)只。2025年中國(guó)IGBT產(chǎn)量將超過(guò)4000萬(wàn)只。

4.IGBT應(yīng)用領(lǐng)域占比情況

IGBT下游應(yīng)用領(lǐng)域中，新能源汽車、消費(fèi)電子、新能源發(fā)電是最主要的應(yīng)用領(lǐng)域，分別占比31%、27%和11%。在新能源汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，IGBT是關(guān)鍵的功率器件，它負(fù)責(zé)將電池的直流電轉(zhuǎn)換為交流電來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)工作，或者在再生制動(dòng)過(guò)程中將電機(jī)產(chǎn)生的交流電轉(zhuǎn)換為直流電給電池充電，新能源汽車是最大的應(yīng)用市場(chǎng)。

5.IGBT市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

全球IGBT市場(chǎng)由英飛凌（德國(guó)）、三菱電機(jī)（日本）、富士電機(jī)（日本）、安森美（美國(guó)）、賽米控丹佛斯（歐洲）等企業(yè)主導(dǎo)。其中，英飛凌以約30%的全球市場(chǎng)份額穩(wěn)居首位。本土企業(yè)中，斯達(dá)半導(dǎo)市場(chǎng)占比最大，為15%。其次是比亞迪半導(dǎo)體、中車時(shí)代、華潤(rùn)微、士蘭微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電，分別占比12%、9%、3%、1%、1%、1%。

四、IGBT行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)

1.斯達(dá)半導(dǎo)

斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)是以IGBT和SiC為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。公司長(zhǎng)期致力于IGBT、快恢復(fù)二極管、MOSFET等功率芯片的設(shè)計(jì)和工藝及IGBT、SiC MOSFET等功率模塊的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制和電源、新能源、新能源汽車、白色家電等領(lǐng)域。2025年一季度，公司營(yíng)業(yè)總收入為9.19億元，同比上升14.22%，歸母凈利潤(rùn)為1.04億元，同比下降36.22%。分產(chǎn)品來(lái)看，2024年公司主營(yíng)業(yè)務(wù)中，IGBT模塊收入31.14億元，占比91.83%。

2.比亞迪半導(dǎo)體

比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的高效、智能、集成新型半導(dǎo)體企業(yè)，主要從事功率半導(dǎo)體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導(dǎo)體、制造及服務(wù)，覆蓋了對(duì)光、電、磁等信號(hào)的感應(yīng)、處理及控制，產(chǎn)品市場(chǎng)應(yīng)用前景廣闊。公司以車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體為核心，產(chǎn)品已基本覆蓋新能源汽車核心應(yīng)用領(lǐng)域，同時(shí)也廣泛應(yīng)用于工業(yè)、家電、新能源、消費(fèi)電子等應(yīng)用領(lǐng)域。

3.時(shí)代電氣

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司建有6英寸雙極器件、8 英寸IGBT和6英寸碳化硅的產(chǎn)業(yè)化基地，擁有芯片、模塊、組件及應(yīng)用的全套自主技術(shù)。公司生產(chǎn)的全系列高可靠性IGBT產(chǎn)品打破了軌道交通和特高壓輸電核心器件由國(guó)外企業(yè)壟斷的局面，目前正在解決我國(guó)新能源汽車、新能源發(fā)電裝備的核心器件自主化問(wèn)題。2025年一季度，公司營(yíng)業(yè)總收入為45.37億元，同比上升14.81%，歸母凈利潤(rùn)為6.31億元，同比上升13.42%。

4.士蘭微

杭州士蘭微電子股份有限公司從集成電路芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)開(kāi)始，逐步搭建了特色工藝的芯片制造平臺(tái)，并已將技術(shù)和制造平臺(tái)延伸至功率器件、功率模塊、MEMS傳感器、光電器件的封裝領(lǐng)域，建立了較為完善的IDM經(jīng)營(yíng)模式。2025年一季度，公司營(yíng)業(yè)總收入為30.0億元，同比上升21.7%，歸母凈利潤(rùn)為1.49億元，同比上升1072.43%。分產(chǎn)品來(lái)看，2024年公司主營(yíng)業(yè)務(wù)中，分立器件產(chǎn)品收入54.38億元，占比48.46%，集成電路收入41.05億元，占比36.59%，發(fā)光二極管產(chǎn)品收入7.684億元，占比6.85%。

5.揚(yáng)杰科技

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，專業(yè)致力于功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試等中高端領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。公司主營(yíng)產(chǎn)品主要分為三大板塊，具體包括材料板塊、晶圓板塊及封裝器件板塊（MOSFET、IGBT、SiC 系列產(chǎn)品、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)及其他產(chǎn)品系列）。2025年一季度，公司營(yíng)業(yè)收入為15.79億元，同比增長(zhǎng)18.90%，歸母凈利潤(rùn)為2.73億元，同比增長(zhǎng)51.22%。分產(chǎn)品來(lái)看，2024年公司主營(yíng)業(yè)務(wù)中，半導(dǎo)體器件收入52.04億元，占比86.25%。

五、IGBT行業(yè)發(fā)展前景

1.政策驅(qū)動(dòng)與技術(shù)創(chuàng)新加速國(guó)產(chǎn)替代

中國(guó)IGBT行業(yè)在國(guó)家政策強(qiáng)力支持下快速發(fā)展，《中國(guó)制造2025》和“雙碳”目標(biāo)明確將功率半導(dǎo)體列為重點(diǎn)突破領(lǐng)域。政府通過(guò)稅收優(yōu)惠、專項(xiàng)補(bǔ)貼（如每千瓦10-15元應(yīng)用補(bǔ)貼）及產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同政策，推動(dòng)企業(yè)研發(fā)投入，2023年國(guó)產(chǎn)IGBT自給率已超30%。技術(shù)層面，國(guó)內(nèi)企業(yè)如中車時(shí)代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)等在車規(guī)級(jí)模塊和高壓技術(shù)（如1700V以上IGBT）取得突破，芯片良率提升至接近國(guó)際水平（失效率200ppm），并加速布局第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN），目標(biāo)2025年成本降至硅基產(chǎn)品的1.5倍以內(nèi)。國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程在新能源汽車、光伏逆變器等領(lǐng)域尤為顯著，預(yù)計(jì)2025年國(guó)產(chǎn)化率將達(dá)70%。

2.下游需求爆發(fā)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張

新能源汽車、智能電網(wǎng)和工業(yè)自動(dòng)化成為核心增長(zhǎng)引擎。2023年新能源汽車銷量超600萬(wàn)輛，單車IGBT價(jià)值量約1700元，帶動(dòng)車規(guī)級(jí)模塊需求激增；光伏領(lǐng)域每GW裝機(jī)對(duì)應(yīng)IGBT價(jià)值量達(dá)2100萬(wàn)元，2025年市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)突破200億元。此外，5G基站、數(shù)據(jù)中心電源等高頻應(yīng)用場(chǎng)景推動(dòng)GaN-IGBT混合模塊需求，工業(yè)控制領(lǐng)域因智能制造升級(jí)（如機(jī)器人、伺服系統(tǒng)）保持15%以上年增速。

3.國(guó)產(chǎn)替代加速提升市場(chǎng)份額

長(zhǎng)期以來(lái)，中國(guó)IGBT市場(chǎng)主要被國(guó)外企業(yè)占據(jù)，但近年來(lái)，隨著國(guó)家政策的支持和國(guó)內(nèi)企業(yè)技術(shù)水平的提升，IGBT國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速推進(jìn)。國(guó)內(nèi)企業(yè)如比亞迪等在IGBT領(lǐng)域不斷取得突破，市場(chǎng)份額逐年提升，國(guó)產(chǎn)化率也在不斷提高。未來(lái)，在國(guó)家政策的持續(xù)支持和國(guó)內(nèi)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新的不斷推動(dòng)下，國(guó)產(chǎn)IGBT將在更多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)進(jìn)口替代，逐步向高端市場(chǎng)滲透，進(jìn)一步提升在國(guó)內(nèi)乃至全球市場(chǎng)的份額，推動(dòng)中國(guó)IGBT行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。