近年來，我國正通過自主技術逐步打破海外壟斷，國內半導體存儲器市場規(guī)模穩(wěn)步增長。2024年中國半導體存儲器市場規(guī)模達到約4267億元，較上年增長8.22%。2025年中國半導體存儲器市場規(guī)模將達到4651億元。

中國半導體存儲器行業(yè)發(fā)展前景

1.政策層面支持行業(yè)發(fā)展

 “十四五”以來，國家將半導體存儲器列為“卡脖子”環(huán)節(jié)中的最高優(yōu)先級，持續(xù)加碼“大基金三期+科創(chuàng)板綠色通道+地方專項債”三位一體政策包：大基金三期向長鑫、長江存儲合計注資超300億元；科創(chuàng)板第五套上市標準為尚未盈利的長鑫存儲、得一微等存儲IDM和主控企業(yè)打開IPO窗口；合肥、武漢、上海等地方政府以“代建廠房+設備補貼+流片獎勵”模式，將單個12吋存儲晶圓廠的綜合補貼力度提升到1美元/GB產能。

2.技術進步推動行業(yè)發(fā)展

國內已初步形成“IDM+虛擬IDM+Fabless”并行的技術突圍路線：長江存儲232層Xtacking 4.0 NAND在堆疊層數上領先海外同代產品，長鑫存儲17nm DDR5即將量產并與國際龍頭差距縮至1.5代以內；兆易創(chuàng)新、東芯等Fabless在55nm NOR Flash及利基型SLC NAND實現(xiàn)工藝持平；更關鍵的是，國產蝕刻、薄膜、量測設備在128層及以上3D NAND、17nm DRAM產線的驗證覆蓋率已突破60%，為2026年后的擴產解除設備“卡脖子”打下基礎。

3.市場需求不斷增長

中國已是全球最大數據圈，2025年本土產生的數據量將達48ZB，占全球總量28%，直接拉動DRAM+NAND需求規(guī)模突破4580億元，2023-2027年CAGR保持9%以上；AI服務器、車載存儲、工業(yè)實時控制三大增量場景合計貢獻新增需求的55%，其中AI服務器HBM/高帶寬DRAM需求年增超60%，新能源車單車存儲容量從2023年的20GB躍升至2027年的150GB，成為國產廠商切入高毛利細分市場的關鍵突破口。