超寬禁帶半導(dǎo)體材料（UWBG），又稱第四代半導(dǎo)體材料，指禁帶寬度（Eg）大于等于3.4eV的半導(dǎo)體材料。超寬禁帶半導(dǎo)體材料具備耐受電壓高、工作溫度范圍寬、電子遷移率高、抗輻射性能好等優(yōu)勢(shì)，在輻射探測(cè)器、超高壓電力電子器件、量子通信以及射頻電子發(fā)射器等高新技術(shù)領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。
    超寬禁帶半導(dǎo)體材料主要包括氧化鎵半導(dǎo)體材料、金剛石半導(dǎo)體材料以及氮化鋁半導(dǎo)體材料三種。氧化鎵半導(dǎo)體材料（Ga2O3）可通過熔體法制得，在低功耗、高耐壓電力電子器件中應(yīng)用較多；金剛石半導(dǎo)體材料具備導(dǎo)熱率高、硬度高、帶隙寬、光譜范圍寬等特點(diǎn)，可用于制造激光器、同位素電池以及高能粒子探測(cè)器；氮化鋁半導(dǎo)體材料具備高溫穩(wěn)定性好、聲速高等優(yōu)勢(shì)，禁帶寬度達(dá)到6.2eV，應(yīng)用范圍較廣。
   全球已布局超寬禁帶半導(dǎo)體材料行業(yè)研發(fā)及生產(chǎn)賽道的企業(yè)包括日本Mirise Technologies公司、日本奧比睿有限公司（Orbray）、日本NCT股份有限公司、美國Hexa Tech公司、美國Crystal IS公司等。日本NCT為全球β-Ga2O3襯底代表企業(yè)，市場(chǎng)占比達(dá)到近九成。
    在本土方面，我國超寬禁帶半導(dǎo)體材料行業(yè)尚處于起步階段，主要生產(chǎn)企業(yè)包括杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司、杭州富加鎵業(yè)科技有限公司、北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司、江蘇南大光電材料股份有限公司、河南四方達(dá)超硬材料股份有限公司等。鎵仁半導(dǎo)體專注于氧化鎵晶體生長(zhǎng)與襯底加工技術(shù)的研究及應(yīng)用，已具備2英寸氧化鎵單晶生產(chǎn)實(shí)力。
   目前，我國超寬禁帶半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展仍面臨諸多問題亟待解決。一方面，與海外發(fā)達(dá)國家相比，我國超寬禁帶半導(dǎo)體材料行業(yè)起步較晚，研發(fā)實(shí)力及技術(shù)水平較為落后；另一方面，受國際形勢(shì)影響，全球多個(gè)國家出臺(tái)政策限制超寬禁帶半導(dǎo)體材料出口，我國企業(yè)需加大研發(fā)投入力度，以提升自身競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。
   超寬禁帶半導(dǎo)體材料作為新一代半導(dǎo)體材料，在眾多領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。但目前，我國超寬禁帶半導(dǎo)體材料行業(yè)尚處于起步階段，未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。預(yù)計(jì)未來一段時(shí)間，伴隨研究深入、技術(shù)進(jìn)步，我國超寬禁帶半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展速度有望加快。