經(jīng)過多年發(fā)展，光刻機(jī)已經(jīng)有五代產(chǎn)品。第一代為g線型光刻機(jī)，以36nmg-line為光源，步進(jìn)掃描投影式光刻技術(shù)為其核心技術(shù)；第二代為i線型光刻機(jī)，以365nmi-line為光源，其光刻分辨率為220-500nm；第三代為KrF光刻機(jī)，采用深紫外光源，工藝節(jié)點(diǎn)為180-130nm；第四代為ArF光刻機(jī)，可細(xì)分為干式光刻機(jī)以及濕式光刻機(jī)兩種類型；第五代為極紫外光刻機(jī)，以極紫外光作為光源，屬于高端光刻機(jī)。
    ArF光刻機(jī)，又稱氟化氬光刻機(jī)，指采用193納米波長(zhǎng)的氟化氬（ArF）準(zhǔn)分子激光作為光源制成的光學(xué)曝光設(shè)備。ArF光刻機(jī)需具備光刻精度高、分辨率高、維護(hù)便捷、安全可靠性高等特點(diǎn)，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。
   ArF光刻機(jī)通常由投影物鏡、準(zhǔn)分子激光源、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、工件臺(tái)以及控制模塊等組件構(gòu)成。準(zhǔn)分子激光源為ArF光刻機(jī)核心組件，能產(chǎn)生深紫外光，可對(duì)脈沖頻率、放電電壓以及氣體比例等參數(shù)進(jìn)行精確調(diào)控。目前，我國(guó)企業(yè)已具備準(zhǔn)分子激光源自主研發(fā)及生產(chǎn)實(shí)力，這將為ArF光刻機(jī)行業(yè)發(fā)展提供有利條件。
  ArF光刻機(jī)為半導(dǎo)體制造重要設(shè)備，適用于45-7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路制造過程中。受益于技術(shù)進(jìn)步，我國(guó)集成電路產(chǎn)量不斷增長(zhǎng)。據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局發(fā)布數(shù)據(jù)顯示，2024年我國(guó)集成電路產(chǎn)量達(dá)到4514.2億塊，同比增長(zhǎng)22.2%。應(yīng)用需求增長(zhǎng)將為我國(guó)ArF光刻機(jī)行業(yè)發(fā)展帶來機(jī)遇。
   全球ArF光刻機(jī)市場(chǎng)主要參與者包括荷蘭阿斯麥公司（ASML）、日本尼康公司（Nikon）、日本佳能公司（Canon）等。ASML為全球光刻機(jī)龍頭企業(yè)，占據(jù)ArF光刻機(jī)市場(chǎng)較大份額。在本土方面，近年來，我國(guó)ArF光刻機(jī)市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程有所加快。中國(guó)科益虹源公司、上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司（SMEE）等為我國(guó)ArF光刻機(jī)市場(chǎng)主要參與者。目前，上海微電子已成功研發(fā)出我國(guó)首臺(tái)ArF光刻機(jī)，將在高端芯片制造過程中獲得應(yīng)用。
   ArF光刻機(jī)主要應(yīng)用于集成電路制造過程中，未來伴隨應(yīng)用需求日益旺盛，其市場(chǎng)空間將得到進(jìn)一步擴(kuò)展。與海外發(fā)達(dá)國(guó)家相比，我國(guó)ArF光刻機(jī)行業(yè)起步較晚，但發(fā)展勢(shì)頭迅猛，未來隨著本土企業(yè)持續(xù)發(fā)力，其國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品市場(chǎng)占比有望提升。