碳化硅作為第三代半導體核心材料，因其耐高壓、耐高溫、高頻性能優(yōu)越等特性，成為功率器件升級的關鍵路徑。碳化硅器件是以碳化硅為核心材料制成的半導體器件。碳化硅器件主要產品包括MOSFET、二極管、功率器件等，廣泛應用于新能源車、光伏逆變器、軌道交通等領域，相比傳統(tǒng)硅基器件可顯著降低能量損耗并提升系統(tǒng)效率。
    國際巨頭如美國Wolfspeed、日本羅姆已構建從襯底到器件的全產業(yè)鏈壁壘，英飛凌、安森美、三菱電機、意法半導體等依托其在功率器件方面深厚的技術積累，涉足碳化硅器件領域，并憑借良好的品牌形象和豐富的客戶資源占據了一定市場份額，促進了技術研發(fā)、產能擴張與市場開發(fā)的同步推進。整體來看，歐美日企業(yè)通過專利布局形成技術護城河，且通過跨國合作及并購，產業(yè)聯盟逐步成型。與此同時，受前期高速擴張及市場需求波動影響，全球碳化硅器件行業(yè)充滿調整，如近期Wolfspeed宣告破產，一方面暴露了部分碳化硅器件企業(yè)的發(fā)展問題，也為其他碳化硅器件企業(yè)的市場擴張及并購整合提供了機遇。
    在政策端，"十四五"規(guī)劃明確支持第三代半導體發(fā)展，并基于“02專項”出臺多項支持性政策，推動了中國碳化硅器件相關產業(yè)的全面發(fā)展，長三角、珠三角涌現多個產業(yè)化基地。目前，國內已形成襯底（天科合達、山東天岳）、外延（瀚天天成）、器件、設備（晶盛機電、北方華創(chuàng)）的完整產業(yè)鏈雛形。尤其是器件方面，已有士蘭微、三安光電、楊杰科技、中車時代等多家企業(yè)涉足，極大地推動中國碳化硅器件產業(yè)化發(fā)展。但在核心襯底良率、器件可靠性等關鍵技術方面國內與國外領先企業(yè)仍存差距，IDM模式企業(yè)正通過垂直整合提升競爭力。
    全球范圍內碳化硅功率器件正加速替代硅基IGBT，尤其在800V高壓平臺需求驅動下，車規(guī)級碳化硅功率器件需求明顯增長；而光伏儲能領域因組串式逆變器升級也給碳化硅器件市場帶來新增長點；工業(yè)電源、數據中心等傳統(tǒng)場景的節(jié)能改造領域的碳化硅器件需求持續(xù)釋放。推動全球碳化硅器件市場規(guī)模持續(xù)增長。2024年，全球碳化硅器件市場規(guī)模超過150億元。
   中國作為全球最大的新能源汽車、新能源發(fā)電及工業(yè)裝備生產國，正在加速推進產品升級，加之國內對于數據中心建設的大規(guī)模投入，中國市場在全球碳化硅器件市場中的地位日漸重要。在龐大且多樣化的需求引導下，中國碳化硅器件行業(yè)將實現較快發(fā)展，迅速縮小同國外領先企業(yè)的差距，構建完善的碳化硅器件研發(fā)制造體系。