光掩模又稱掩模版、光刻掩模版，是光刻工藝中關(guān)鍵部件之一，光掩模主要通過掩膜寫入器來完成。掩模寫入器是一種利用電子束照射在模板上繪制精細(xì)電子電路圖案的設(shè)備。
　　掩模寫入器分為單波束掩膜寫入器、多波束掩膜寫入器，其中多波束掩膜寫入器具有并行寫入、掩模質(zhì)量高、制作速度快等優(yōu)勢。近年來，隨著芯片微型化發(fā)展，市場對掩膜寫入的精度、效率有了更高要求，多波束掩膜寫入器應(yīng)用需求隨之釋放。
　　根據(jù)生產(chǎn)節(jié)點不同，多束掩模寫入器分為3nm及以下、5nm、7nm及以上等類型。不同生產(chǎn)節(jié)點的多束掩模寫入器在應(yīng)用上存在一定差異，其中3nm及以下多束掩模寫入器可用于高性能計算、先進AI系統(tǒng)、超高性能芯片等領(lǐng)域，7nm及以上多束掩模寫入器多用于消費電子、數(shù)據(jù)中心、智能家居設(shè)備、汽車等領(lǐng)域。
　　近年來，受消費電子、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、汽車等領(lǐng)域推動，先進半導(dǎo)體設(shè)備市場需求不斷釋放，多波束掩膜寫入器市場規(guī)模隨之?dāng)U大，2024年全球多波束掩膜寫入器市場規(guī)模約9.6億美元，預(yù)計2030年這一市場規(guī)模將增長至20.0億美元左右。
　　在國際市場上，多波束掩膜寫入器主要制造商包括奧地利IMS nanofabrication公司、日本紐富來（NuFlare Technology）、日本愛德萬測試（Advantest Corporation）、德國Raith GmbH、瑞典Mycronic AB等。奧地利IMS nanofabrication公司在多束電子束光刻領(lǐng)域具有領(lǐng)先地位，其開發(fā)并生產(chǎn)了全球首個用于半導(dǎo)體行業(yè)的多波束掩膜寫入器，市場占比遙遙領(lǐng)先。
　　近年來，隨著技術(shù)突破、政策利好，我國半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)替代進程不斷推進，在光掩模領(lǐng)域，我國企業(yè)已具備先進制程半導(dǎo)體光掩模生產(chǎn)能力，如清溢光電、路維光電等。在科技獨立自主背景下，先進的光掩模及多波束掩膜寫入器企業(yè)將優(yōu)享國產(chǎn)替代紅利。
　　多波束掩膜寫入器是制造光掩模的關(guān)鍵設(shè)備，具有并行寫入、高吞吐量等特點，能夠滿足復(fù)雜芯片的設(shè)計需求，近年來，隨著芯片設(shè)計復(fù)雜性增加，多波束掩膜寫入器應(yīng)用越來越廣泛。多波束掩膜寫入器技術(shù)壁壘高，目前國外企業(yè)占據(jù)全球市場主導(dǎo)，我國市場還存在較大國產(chǎn)替代空間。