憶阻器又稱記憶電阻器，是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件，可以表示磁通與電荷之間的關(guān)系。憶阻器具有記憶功能，阻值會隨流經(jīng)電荷而改變，通過測定阻值，可計算出流經(jīng)的電荷量。
　　憶阻器通常呈“三明治”結(jié)構(gòu)，即金屬/絕緣體/金屬（MIM）單元結(jié)構(gòu)，其中I為憶阻功能層，由離子導(dǎo)體構(gòu)成，如鈣鈦礦、硫化物、二元氧化物、有機化合物等。憶阻器有多種工作機制，包括離子遷移機制、電荷轉(zhuǎn)移機制、熱化學(xué)反應(yīng)機制等，其中離子遷移機制為憶阻器主要工作機制。
　　無機材料是迄今為止研究最廣泛的憶阻器材料，相比之下，有機高分子材料、生物材料研究較少。近年來，隨著環(huán)保要求提升、可降解需求釋放，基于生物材料的憶阻器受到廣泛關(guān)注，尤其是絲素蛋白（SF）基憶阻器，目前已制備出多種功能、增強憶阻性能的SF基憶阻器。
　　憶阻器具有存儲器、電阻器的特性，在數(shù)據(jù)存儲、生物醫(yī)學(xué)、人工智能、數(shù)據(jù)中心、邏輯運算、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、通信等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用空間。但作為新興元器件，憶阻器生產(chǎn)成本高、商業(yè)化程度低，目前市場規(guī)模較小，2024年全球憶阻器市場規(guī)模約1.5億美元。
　　技術(shù)創(chuàng)新、研發(fā)效率提升是推動憶阻器產(chǎn)業(yè)化的重要力量，近年來，國內(nèi)外機構(gòu)、企業(yè)均在積極研究開發(fā)憶阻器，包括意大利巴勒莫大學(xué)、美國內(nèi)布拉斯加大學(xué)、惠普、英特爾、IBM、博世、富士通（Fujitsu）、清華大學(xué)、國防科技大學(xué)、福建師范大學(xué)、天憶時代、昕原半導(dǎo)體、億鑄智能、后摩智能等。
　　我國在憶阻器領(lǐng)域已取得眾多突破。北京大學(xué)楊玉超團隊研發(fā)出一種可支持多種工作模式的憶阻器，這種憶阻器能夠支持多種光學(xué)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，還能實現(xiàn)大規(guī)�？芍貥�(gòu)視覺計算硬件系統(tǒng)；福建師范大學(xué)李德力團隊開發(fā)出了采用銀/鉍（Ag/Bi）雙層電極結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦憶阻器，解決了傳統(tǒng)電極成本高、穩(wěn)定性差的痛點。
　　憶阻器市場潛力巨大，吸引了國內(nèi)外眾多企業(yè)和機構(gòu)布局，隨著研究深入、相關(guān)成果轉(zhuǎn)化，憶阻器正不斷從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化，應(yīng)用空間隨之?dāng)U大。近年來，憶阻器在材料設(shè)計、器件性能優(yōu)化、應(yīng)用拓展等方面取得了顯著進展，但作為新興元器件，憶阻器產(chǎn)業(yè)化發(fā)展仍面臨成本高、兼容性不足、缺乏標準等問題。