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報告簡介
報告目錄
2025-2030年中國氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀調(diào)研及發(fā)展前景投資預(yù)測分析報告
第一章 氮化鎵相關(guān)概述
1.1 氮化鎵基本介紹
1.1.1 氮化鎵基本概念
1.1.2 氮化鎵形成階段
1.1.3 氮化鎵性能優(yōu)勢
1.1.4 氮化鎵半導(dǎo)體作用
1.2 氮化鎵材料的特性
1.2.1 結(jié)構(gòu)特性
1.2.2 化學(xué)特性
1.2.3 光學(xué)特性
1.2.4 電學(xué)性質(zhì)
1.2.5 磁學(xué)特性
1.3 氮化鎵的制備方法
1.3.1 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)
1.3.2 分子束外延（MBE）技術(shù)
1.3.3 氫化物氣相外延（HVPE）技術(shù)
1.3.4 懸空外延技術(shù)（Pendeo-epitaxy）
第二章 2023-2025年半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述
2.1 半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
2.1.1 第一代半導(dǎo)體材料
2.1.2 第二代半導(dǎo)體材料
2.1.3 第三代半導(dǎo)體材料
2.1.4 半導(dǎo)體材料的應(yīng)用
2.2 2023-2025年全球半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r
2.2.1 市場規(guī)模分析
2.2.2 市場態(tài)勢分析
2.2.3 區(qū)域分布狀況
2.2.4 細(xì)分市場結(jié)構(gòu)
2.2.5 產(chǎn)業(yè)重心轉(zhuǎn)移
2.3 2023-2025年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)運行狀況
2.3.1 行業(yè)發(fā)展特性
2.3.2 市場發(fā)展規(guī)模
2.3.3 企業(yè)注冊數(shù)量
2.3.4 產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級
2.3.5 應(yīng)用環(huán)節(jié)分析
2.3.6 項目建設(shè)動態(tài)
2.4 半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對策
2.4.1 行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2 產(chǎn)品同質(zhì)化問題
2.4.3 供應(yīng)鏈不完善
2.4.4 行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5 行業(yè)發(fā)展思路
2.5 半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
2.5.1 市場結(jié)構(gòu)性機(jī)會
2.5.2 行業(yè)發(fā)展前景
2.5.3 行業(yè)發(fā)展趨勢
2.5.4 新型材料展望
第三章 2023-2025年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析
3.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1 產(chǎn)業(yè)鏈條分析
3.1.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3 產(chǎn)業(yè)支持政策
3.1.4 國產(chǎn)化的進(jìn)展
3.2 2023-2025年氮化鎵市場發(fā)展?fàn)顩r
3.2.1 氮化鎵市場發(fā)展變局
3.2.2 氮化鎵市場產(chǎn)值規(guī)模
3.2.3 氮化鎵應(yīng)用狀況分析
3.2.4 氮化鎵應(yīng)用技術(shù)突破
3.2.5 氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展
3.3 氮化鎵技術(shù)專利申請狀況
3.3.1 中國氮化鎵專利申請狀況
3.3.2 中國氮化鎵專利技術(shù)構(gòu)成
3.3.3 中國氮化鎵專利申請人分析
3.3.4 中國氮化鎵專利發(fā)明人分析
3.3.5 中國氮化鎵技術(shù)創(chuàng)新熱點
第四章 2023-2025年氮化鎵企業(yè)競爭情況分析
4.1 2023-2025年全球氮化鎵企業(yè)競爭分析
4.1.1 全球氮化鎵市場區(qū)域競爭
4.1.2 全球氮化鎵企業(yè)競爭格局
4.1.3 全球氮化鎵企業(yè)市場份額
4.1.4 全球氮化鎵企業(yè)布局情況
4.1.5 全球氮化鎵企業(yè)投資并購
4.1.6 全球氮化鎵中國企業(yè)布局
4.2 2023-2025年中國氮化鎵企業(yè)競爭分析
4.2.1 國內(nèi)氮化鎵競爭態(tài)勢
4.2.2 國內(nèi)氮化鎵集中度
4.2.3 國內(nèi)氮化鎵企業(yè)研發(fā)及創(chuàng)新
4.2.4 國內(nèi)氮化鎵廠商布局
4.3 氮化鎵快充市場主要廠商及制造工廠
4.3.1 氮化鎵快充市場發(fā)展現(xiàn)狀
4.3.2 主要廠商及其合作伙伴
4.3.3 氮化鎵快充制造工廠
4.3.4 未來技術(shù)發(fā)展趨勢分析
4.4 GaN器件主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布
4.4.1 GaN電力電子器件
4.4.2 GaN光電子器件
第五章 2023-2025年氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析
5.1 發(fā)光二極管（LED）
5.1.1 發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述
5.1.2 發(fā)光二極管（LED）市場發(fā)展現(xiàn)狀
5.1.3 發(fā)光二極管（LED）模塊進(jìn)出口數(shù)據(jù)
5.1.4 氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程
5.1.5 氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破
5.2 場效應(yīng)晶體管（FET）
5.2.1 場效應(yīng)晶體管（FET）發(fā)展概述
5.2.2 GaN FET與硅FET的比較分析
5.2.3 GaN FET產(chǎn)品的應(yīng)用情況
5.2.4 GaN FET產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展
5.3 激光二極管（LD）
5.3.1 激光二極管（LD）發(fā)展概述
5.3.2 激光二極管（LD）背景技術(shù)
5.3.3 激光器進(jìn)出口市場數(shù)據(jù)分析
5.3.4 GaN基激光器發(fā)展概況分析
5.3.5 GaN基激光器應(yīng)用狀況分析
5.3.6 GaN基激光器技術(shù)發(fā)展情況
5.3.7 GaN基激光器發(fā)展前景展望
5.4 二極管（Diodes）
5.4.1 二極管（Diodes）發(fā)展概述
5.4.2 二極管進(jìn)出口市場數(shù)據(jù)分析
5.4.3 氮化鎵二極管技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
5.5 射頻器件（RF）
5.5.1 射頻器件（RF）發(fā)展概述
5.5.2 GaN射頻器件市場發(fā)展?fàn)顩r
5.5.3 GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
5.5.4 GaN射頻器件主要需求領(lǐng)域
5.6 太陽能電池（Solar Cells）
5.6.1 中國太陽能電池進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
5.6.2 InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展概述
5.6.3 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
5.6.4 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
5.6.5 InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展展望
第六章 2023-2025年氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
6.1 氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.1.1 電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
6.1.2 GaN應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢
6.1.3 GaN電力電子器件分布情況
6.1.4 GaN基電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)
6.1.5 氮化鎵應(yīng)用機(jī)會及趨勢
6.2 氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.2.1 氮化鎵在新能源行業(yè)的優(yōu)勢
6.2.2 氮化鎵在新能源行業(yè)應(yīng)用潛力
6.2.3 氮化鎵在新能源的機(jī)會與挑戰(zhàn)
6.2.4 氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景
6.3 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.3.1 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用領(lǐng)域
6.3.2 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用優(yōu)勢
6.3.3 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中未來發(fā)展方向
6.3.4 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中的市場發(fā)展預(yù)測
6.4 氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.4.1 氮化鎵在通訊設(shè)備市場需求分析
6.4.2 氮化鎵在通訊設(shè)備市場技術(shù)問題
6.4.3 氮化鎵在通訊設(shè)備市場應(yīng)用前景
6.5 氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
6.5.1 GaN在無線基站領(lǐng)域應(yīng)用
6.5.2 GaN在紫外探測領(lǐng)域的應(yīng)用
6.5.3 GaN在紅外探測領(lǐng)域的應(yīng)用
6.5.4 GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用
6.5.5 GaN在生物化學(xué)探測領(lǐng)域的應(yīng)用
第七章 2023-2025年國際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.1 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
7.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
7.1.3 企業(yè)經(jīng)營狀況
7.2 科沃（Qorvo, Inc.）
7.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2 企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.2.3 企業(yè)經(jīng)營狀況
7.3 亞德諾半導(dǎo)體（Analog Devices, Inc.）
7.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2 企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.3.3 企業(yè)經(jīng)營狀況
7.4 恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
7.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2 企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.4.3 企業(yè)經(jīng)營狀況
7.5 英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
7.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
7.5.3 企業(yè)布局狀況
7.5.4 企業(yè)經(jīng)營狀況
第八章 2022-2025年中國氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.1 蘇州納維科技有限公司
8.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.1.2 企業(yè)主營業(yè)務(wù)
8.1.3 企業(yè)項目動態(tài)
8.2 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
8.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.2.2 企業(yè)發(fā)展成就
8.2.3 企業(yè)項目進(jìn)展
8.3 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
8.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.3.2 企業(yè)核心技術(shù)
8.3.3 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
8.3.4 企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
8.4 三安光電股份有限公司
8.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.4.2 經(jīng)營效益分析
8.4.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
8.4.4 財務(wù)狀況分析
8.4.5 核心競爭力分析
8.5 杭州士蘭微電子股份有限公司
8.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.5.2 經(jīng)營效益分析
8.5.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
8.5.4 財務(wù)狀況分析
8.5.5 核心競爭力分析
8.6 四川海特高新技術(shù)股份有限公司
8.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.6.2 企業(yè)的行業(yè)地位
8.6.3 經(jīng)營效益分析
8.6.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
8.6.5 財務(wù)狀況分析
8.6.6 核心競爭力分析
第九章 2025-2030年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測
9.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
9.1.1 產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會
9.1.2 企業(yè)并購動態(tài)
9.1.3 投資擴(kuò)產(chǎn)狀況
9.1.4 市場進(jìn)入壁壘
9.2 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
9.2.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
9.2.2 市場應(yīng)用潛力
9.2.3 市場發(fā)展機(jī)遇
9.3 2025-2030年中國氮化鎵市場預(yù)測分析
9.3.1 氮化鎵發(fā)展驅(qū)動五力模型分析
9.3.2 2025-2030年中國GaN產(chǎn)能規(guī)模預(yù)測
圖表目錄
圖表1 半導(dǎo)體發(fā)展歷程
圖表2 硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學(xué)性質(zhì)參數(shù)比較
圖表3 半導(dǎo)體材料性能比較
圖表4 砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體的作用
圖表5 纖鋅礦結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)特性
圖表6 三代半導(dǎo)體材料常溫下部分性質(zhì)
圖表7 半導(dǎo)體材料的主要應(yīng)用
圖表8 2013-2022年全球半導(dǎo)體材料規(guī)模區(qū)域分布
圖表9 2012-2023年中國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模
圖表10 2015-2023年中國半導(dǎo)體材料相關(guān)企業(yè)注冊數(shù)量
圖表11 半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與封測環(huán)節(jié)
圖表12 GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要企業(yè)
圖表13 GaN外延用不同襯底的對比
圖表14 GaN器件主要產(chǎn)品與工藝技術(shù)
圖表15 GaN器件發(fā)展史
圖表16 各國第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策
圖表17 各國對于第三代半導(dǎo)體廠商相關(guān)補(bǔ)貼
圖表18 2020-2023年中國GaN產(chǎn)能
圖表19 氮化鎵（GaN）應(yīng)用狀況
圖表20 2015-2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠暾埣笆跈?quán)量
圖表21 2015-2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠厔?
圖表22 截至2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠愋?
圖表23 截至2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域發(fā)明專利審查時長
圖表24 截至2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠蔂顟B(tài)
圖表25 截至2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠墒录?
圖表26 截至2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠暾堉袊∈蟹植?
圖表27 截至2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域主要技術(shù)分支的專利分布
圖表28 2015-2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)分支申請趨勢
圖表29 截至2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域重要技術(shù)分支主要申請人分布
圖表30 截至2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)功效矩陣
圖表31 截至2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠暾埲伺琶?
圖表32 截至2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠卸?
圖表33 截至2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域新入局者披露
圖表34 截至2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域合作申請分析
圖表35 截至2024年中國氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域主要申請人技術(shù)分析
略….
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