鍺基晶體管，是以鍺（Ge）為材料制造而成的晶體管；鍺基邏輯器件，是使用鍺材料制造而成的邏輯電路元件；鍺基晶體管是構(gòu)成鍺基邏輯器件的基本單元之一。
　　邏輯器件是具有邏輯功能的電子元件，在數(shù)字電路中實(shí)現(xiàn)與、或、非等邏輯運(yùn)算，廣泛應(yīng)用在計(jì)算機(jī)、通信、控制、傳感等領(lǐng)域，而晶體管是構(gòu)建邏輯器件的關(guān)鍵元件。
　　人類開發(fā)出的首個晶體管是鍺晶體管，但受材料來源、成本等因素限制，硅晶體管成為市場主流。晶體管等電子元件集成于硅片上形成芯片，在摩爾定律下，單位面積硅片上集成的晶體管數(shù)量成倍增加，目前已基本接近物理極限，芯片性能大幅提升的難度增大，因此新型晶體管研制受到關(guān)注。
　　晶體管的核心是輸送電荷的溝道，利用電流移動速度更快的材料來替代硅，可以獲得更高性能的晶體管。鍺同時具有高電子遷移率、高空穴遷移率特點(diǎn)，基于鍺溝道的晶體管，與硅晶體管相比，具有電路傳輸速度快，運(yùn)行時所需電壓低、能耗低等特點(diǎn)，與III-V族半導(dǎo)體材料制造而成的晶體管相比，具有設(shè)計(jì)、制造難度較低的優(yōu)點(diǎn)。
　　2021年12月，奧地利維也納工業(yè)大學(xué)科研人員利用鍺生產(chǎn)出世界上最靈活的晶體管，與硅基晶體管相比，這種鍺基晶體管的計(jì)算能力幾乎翻倍，具有自適應(yīng)優(yōu)點(diǎn)，可以在運(yùn)行時動態(tài)切換，執(zhí)行不同的邏輯任務(wù)，在人工智能、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域發(fā)展?jié)摿Υ螅�成果發(fā)表于《美國化學(xué)學(xué)會納米雜志》。
　　2024年7月，我國西安電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)基于Ge/MoS2異質(zhì)結(jié)型晶體管的可見-紅外雙波段雙極性光響應(yīng)特性研制了光學(xué)邏輯運(yùn)算單元，在單個或兩個器件上通過全光控制實(shí)現(xiàn)了五種基本邏輯和多種復(fù)雜邏輯功能運(yùn)算，相關(guān)研究成果發(fā)表于《尖端科學(xué)》。
    2024年8月，我國工信部發(fā)布國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)2024年度項(xiàng)目申報(bào)指南，將支撐高性能鍺基邏輯器件的高效原位摻雜材料研究列入，提出面向高速率、低功耗鍺基晶體管對高性能源漏區(qū)材料的需求，研究高性能鍺基源漏關(guān)鍵核心材料的制造與摻雜技術(shù)。未來隨著關(guān)鍵核心材料制備技術(shù)突破，我國鍺基晶體管與鍺基邏輯器件研發(fā)速度將進(jìn)一步加快。