外爾半導體碲（Te），是指半導體材料碲（Te）中存在外爾點特征，這種材料兼具半導體與外爾半金屬優(yōu)點，主要用來制備光電器件。
　　外爾半金屬，是一種拓撲半金屬，具有拓撲非平庸的能帶結(jié)構(gòu)，表面為開放費米弧結(jié)構(gòu)，其開發(fā)與應用受到關(guān)注。將半導體優(yōu)點與外爾半金屬優(yōu)點相結(jié)合，可實現(xiàn)外爾半導體，在光電器件研制領域擁有巨大發(fā)展?jié)摿Α?BR>　　碲（Te）是半金屬元素，是半導體材料，具有載流子遷移率高、光吸收特性好等優(yōu)點，是一種優(yōu)良的光電材料。2022年9月，北京大學孫棟教授與中國科學技術(shù)大學曾長淦教授合作，在中紅外波長下對Te進行了圓偏振相關(guān)光電流的測量，為支持Te作為外爾半導體提供了有力的光學證據(jù)，成果發(fā)表于《自然•通訊》。
　　外爾半導體碲（Te）可以用來制造光電器件，進而應用在太陽能電池、光電探測器、光通信、量子計算等領域�；�于半導體材料制造而成的晶體管，是現(xiàn)代電子電路的基礎關(guān)鍵元件。為持續(xù)提高算力，晶體管尺寸不斷縮小、單位面積密度不斷提高，導致其功耗不斷提升、熱量釋放量不斷增加，進而影響其性能與可靠性。因此開發(fā)新型材料制造高性能晶體管的需求迫切，外爾半導體碲（Te）受到關(guān)注。
　　外爾半金屬可以實現(xiàn)低能耗電子傳輸，利用外爾半導體碲（Te）制造晶體管，其功耗、散熱量優(yōu)于傳統(tǒng)硅基芯片，可以應用在高性能量子計算機制造領域，也可以應用在能耗大、熱量產(chǎn)生大的大型數(shù)據(jù)中心，以降低熱管理成本。
　　2022年6月，香港理工大學柴揚教授團隊基于外爾半導體碲（Te）薄膜制備出拓撲相變晶體管，厚度約10納米，具有108開關(guān)比，開態(tài)電導達到39mA/μm，適用于需要高性能和低熱耗散的數(shù)據(jù)中心，相關(guān)研究成果發(fā)表于《Science Advances》。
　　隨著人工智能技術(shù)發(fā)展，搭載AI大模型的機械設備研發(fā)熱情高，為滿足智能機械設備感知物理世界的需求，視覺感知技術(shù)不可或缺，為提高視覺感知效率，仿生視覺感知芯片開發(fā)受到重視。
   2024年8月，我國工信部發(fā)布國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項2024年度項目申報指南，提出開展基于半導體Te的光電器件及仿生視覺感知芯片研究，這將進一步推動我國外爾半導體碲（Te）技術(shù)與應用研究的深入。