外爾半導(dǎo)體碲（Te），是指半導(dǎo)體材料碲（Te）中存在外爾點(diǎn)特征，這種材料兼具半導(dǎo)體與外爾半金屬優(yōu)點(diǎn)，主要用來制備光電器件。
　　外爾半金屬，是一種拓?fù)浒虢饘�，具有拓�(fù)浞瞧接沟哪軒ЫY(jié)構(gòu)，表面為開放費(fèi)米弧結(jié)構(gòu)，其開發(fā)與應(yīng)用受到關(guān)注。將半導(dǎo)體優(yōu)點(diǎn)與外爾半金屬優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)外爾半導(dǎo)體，在光電器件研制領(lǐng)域擁有巨大發(fā)展?jié)摿Α?BR>　　碲（Te）是半金屬元素，是半導(dǎo)體材料，具有載流子遷移率高、光吸收特性好等優(yōu)點(diǎn)，是一種優(yōu)良的光電材料。2022年9月，北京大學(xué)孫棟教授與中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)曾長淦教授合作，在中紅外波長下對(duì)Te進(jìn)行了圓偏振相關(guān)光電流的測(cè)量，為支持Te作為外爾半導(dǎo)體提供了有力的光學(xué)證據(jù)，成果發(fā)表于《自然•通訊》。
　　外爾半導(dǎo)體碲（Te）可以用來制造光電器件，進(jìn)而應(yīng)用在太陽能電池、光電探測(cè)器、光通信、量子計(jì)算等領(lǐng)域�；�于半導(dǎo)體材料制造而成的晶體管，是現(xiàn)代電子電路的基礎(chǔ)關(guān)鍵元件。為持續(xù)提高算力，晶體管尺寸不斷縮小、單位面積密度不斷提高，導(dǎo)致其功耗不斷提升、熱量釋放量不斷增加，進(jìn)而影響其性能與可靠性。因此開發(fā)新型材料制造高性能晶體管的需求迫切，外爾半導(dǎo)體碲（Te）受到關(guān)注。
　　外爾半金屬可以實(shí)現(xiàn)低能耗電子傳輸，利用外爾半導(dǎo)體碲（Te）制造晶體管，其功耗、散熱量優(yōu)于傳統(tǒng)硅基芯片，可以應(yīng)用在高性能量子計(jì)算機(jī)制造領(lǐng)域，也可以應(yīng)用在能耗大、熱量產(chǎn)生大的大型數(shù)據(jù)中心，以降低熱管理成本。
　　2022年6月，香港理工大學(xué)柴揚(yáng)教授團(tuán)隊(duì)基于外爾半導(dǎo)體碲（Te）薄膜制備出拓?fù)湎嘧兙�體管，厚度約10納米，具有108開關(guān)比，開態(tài)電導(dǎo)達(dá)到39mA/μm，適用于需要高性能和低熱耗散的數(shù)據(jù)中心，相關(guān)研究成果發(fā)表于《Science Advances》。
　　隨著人工智能技術(shù)發(fā)展，搭載AI大模型的機(jī)械設(shè)備研發(fā)熱情高，為滿足智能機(jī)械設(shè)備感知物理世界的需求，視覺感知技術(shù)不可或缺，為提高視覺感知效率，仿生視覺感知芯片開發(fā)受到重視。
   2024年8月，我國工信部發(fā)布國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)2024年度項(xiàng)目申報(bào)指南，提出開展基于半導(dǎo)體Te的光電器件及仿生視覺感知芯片研究，這將進(jìn)一步推動(dòng)我國外爾半導(dǎo)體碲（Te）技術(shù)與應(yīng)用研究的深入。