原子層沉積（ALD）設(shè)備是一種薄膜沉積設(shè)備，具有大面積成膜均勻性好、膜厚控制精確等特點(diǎn)。
　　原子層沉積（ALD）技術(shù)是一種由化學(xué)氣相沉積（CVD）演變而來(lái)的薄膜沉積工藝，原理是以氣體脈沖的形式，將兩種前驅(qū)體交替引入反應(yīng)器，依靠真空泵抽取或惰性氣體吹掃，兩種前驅(qū)體之間實(shí)現(xiàn)隔離，前驅(qū)體分子通過(guò)吸附在樣品表面發(fā)生反應(yīng)生成薄膜或團(tuán)簇。
　　ALD設(shè)備通常由反應(yīng)腔體、前驅(qū)體供應(yīng)系統(tǒng)（包括前驅(qū)體源瓶、噴嘴、閥門(mén)和管道）、真空系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、氣體凈化系統(tǒng)、傳輸系統(tǒng)等組成，其中反應(yīng)腔體是前驅(qū)體化學(xué)反應(yīng)的場(chǎng)所，通常由耐腐蝕材料制成，如不銹鋼。
　　ALD設(shè)備可用于多種材料的沉積，如氧化鋁、氮化鋁、氧化鋅、二氧化鉿、二氧化硅等，在能源、化工、集成電路、平板顯示、光學(xué)器件、柔性電子、MEMS、光伏、半導(dǎo)體、催化劑等領(lǐng)域具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。
　近年來(lái)，原子級(jí)制造受到全球多個(gè)國(guó)家高度關(guān)注，ALD設(shè)備作為原子級(jí)制造技術(shù)代表，市場(chǎng)迎來(lái)了快速發(fā)展時(shí)期。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）數(shù)據(jù)顯示，2024年全球ALD設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)68億美元美元以上，中國(guó)市場(chǎng)需求增速（37%）遠(yuǎn)超全球平均增長(zhǎng)率（15%）。
　ALD設(shè)備具有較高的研發(fā)、技術(shù)壁壘，國(guó)際供應(yīng)商包括應(yīng)用材料（AMAT）、東京電子（TEL）、日本國(guó)際電氣（KE）、荷蘭先晶半導(dǎo)體（ASM）等。ALD設(shè)備戰(zhàn)略價(jià)值高，在2024年美國(guó)商務(wù)部發(fā)布的《關(guān)鍵出口管制清單》中，ALD設(shè)備位列首批受限項(xiàng)目。
　目前我國(guó)ALD設(shè)備供應(yīng)商包括無(wú)錫微導(dǎo)納米、無(wú)錫松煜、北方華創(chuàng)、拓荊科技、江蘇鵬舉半導(dǎo)體等，其中無(wú)錫微導(dǎo)納米是國(guó)內(nèi)首家將量產(chǎn)型High-kALD設(shè)備應(yīng)用于集成電路制造前道生產(chǎn)線的國(guó)產(chǎn)企業(yè)。近年來(lái)，隨著我國(guó)企業(yè)技術(shù)突圍，全球ALD設(shè)備市場(chǎng)格局有所變化。
　原子級(jí)制造是目前各國(guó)競(jìng)相布局的路徑之一，我國(guó)工業(yè)和信息化部已將其確立為六大核心未來(lái)發(fā)展方向之一。ALD設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)原子級(jí)精確控制的薄膜沉積，是原子級(jí)制造技術(shù)代表之一，隨著原子級(jí)制造關(guān)注度提升，ALD設(shè)備市場(chǎng)空間將進(jìn)一步擴(kuò)大，我國(guó)作為制造大國(guó)，國(guó)產(chǎn)ALD設(shè)備有望率先受益。