刻蝕機(jī)是用于電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，是半導(dǎo)體制造中的核心設(shè)備之一，其主要通過物理或化學(xué)的方法，有選擇性地去除材料，以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案化�，F(xiàn)代刻蝕機(jī)主要采用等離子體技術(shù)，利用射頻電源激發(fā)反應(yīng)氣體產(chǎn)生離子，通過電場加速轟擊硅片表面，實(shí)現(xiàn)原子級精度的材料去除。這種干法刻蝕工藝相比傳統(tǒng)濕法刻蝕，具有更高的選擇比和更低的線寬損失，能夠滿足5nm及以下先進(jìn)制程的工藝需求。
　　刻蝕機(jī)的應(yīng)用貫穿半導(dǎo)體制造全流程，尤其在邏輯芯片、存儲芯片（如DRAM、3D NAND）及先進(jìn)封裝中發(fā)揮關(guān)鍵作用。以3D NAND為例，當(dāng)堆疊層數(shù)超過200層時(shí)，刻蝕機(jī)的深寬比刻蝕技術(shù)直接決定存儲密度與良率。此外，在化合物半導(dǎo)體（如GaN、SiC）、光學(xué)器件及MEMS傳感器等領(lǐng)域，刻蝕機(jī)也具有廣泛適用性。近年來，5G通信、人工智能及高性能計(jì)算對先進(jìn)芯片的需求驅(qū)動全球刻蝕機(jī)市場不斷擴(kuò)大，帶動其市場規(guī)模從2019年的115億美元增長至2024年的153億美元。
　　當(dāng)前，全球刻蝕機(jī)市場呈現(xiàn)高度壟斷格局，美國應(yīng)用材料（AMAT）、泛林半導(dǎo)體（Lam Research）和日本東京電子（TEL）三家企業(yè)占據(jù)近90%的市場份額。其中，應(yīng)用材料在介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域優(yōu)勢顯著，泛林半導(dǎo)體主導(dǎo)硅刻蝕市場，東京電子則在存儲芯片刻蝕設(shè)備中占據(jù)領(lǐng)先地位。
　　在中國市場，隨著中國大陸晶圓廠的逆勢增長和國產(chǎn)替代趨勢的加強(qiáng)，國內(nèi)刻蝕設(shè)備企業(yè)正逐漸崛起。中國刻蝕機(jī)產(chǎn)業(yè)內(nèi)企業(yè)通過“引進(jìn)消化-自主創(chuàng)新-協(xié)同攻關(guān)”模式突破技術(shù)壁壘，已形成完整技術(shù)體系。例如，中微半導(dǎo)體自主研發(fā)的5nm刻蝕機(jī)已進(jìn)入臺積電供應(yīng)鏈，北方華創(chuàng)14nm刻蝕機(jī)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。2023年中國國產(chǎn)刻蝕機(jī)市場份額提升至15%，但高端設(shè)備仍依賴進(jìn)口。
　　未來，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、汽車電子以及AI等新興技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，半導(dǎo)體需求將持續(xù)增長，推動晶圓制造設(shè)備市場的不斷擴(kuò)大�？涛g機(jī)作為半導(dǎo)體制造中的核心設(shè)備之一，其市場將迎來更加廣闊的發(fā)展前景。同時(shí)，隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，刻蝕技術(shù)也將面臨更高的技術(shù)要求，包括刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差、選擇比等方面的挑戰(zhàn)，這也將推動刻蝕機(jī)的持續(xù)更新與升級，為行業(yè)帶來新的發(fā)展機(jī)遇。