二維磁性材料可用于高密度信息存儲領(lǐng)域。傳統(tǒng)存儲器采用非磁性半導(dǎo)體材料，通過控制電子電荷來傳遞與存儲數(shù)據(jù)。隨著科技進步，自旋電子學被發(fā)現(xiàn)，利用電子的自旋屬性控制電荷，實現(xiàn)信息傳遞、存儲與處理，其處理速度、存儲密度、功耗等性能得到提升。
　　電子信息產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展，使得數(shù)據(jù)產(chǎn)生量迅猛增加，需要進行傳輸、存儲、處理的數(shù)據(jù)快速增多。為進一步提高存儲密度，并縮小存儲器尺寸，自旋電子學開始與納米技術(shù)相結(jié)合，二維磁性材料因此受到關(guān)注。二維磁性材料厚度在原子級別，是磁性半導(dǎo)體材料，具有器件體積縮小、數(shù)據(jù)處理速度快、信息存儲密度高、低功耗等優(yōu)點，在推動新一代信息技術(shù)發(fā)展方面起到重要作用。
　　二維磁性材料的制備方法主要包括機械剝離法、液相剝離法、化學氣相沉積法（CVD）等。機械剝離法是施加外力克服材料內(nèi)部相鄰層間結(jié)合力來實現(xiàn)材料剝離；液相剝離法是增加材料內(nèi)部相鄰層的層間距后，再施加外力破壞層間結(jié)合力進行材料剝離；化學氣相沉積法（CVD）是氣態(tài)或液態(tài)磁性材料在襯底之上沉積生成薄膜。
　　在全球范圍內(nèi)，二維磁性材料研究于2016年開始起步，之后研究成果不斷增多。目前已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的二維磁性材料主要有過渡金屬碲化物（例如鉻鍺碲Cr2Ge2Te6）、過渡金屬鹵化物（例如三碘化鉻CrI3）、過渡金屬硫族化物（例如鐵鍺碲Fe3GeTe2）、過渡金屬磷硫化物（例如鐵磷硫FePS3）等類型，均具有長程磁序特征。
　　我國二維磁性材料研究成果不斷增多。2018年，復(fù)旦大學與中國科學技術(shù)大學合作，成功制備并解理了單層和少層二維本征鐵磁體Fe3GeTe2；2022年，武漢大學團隊制備了高質(zhì)量二維鐵氧體單晶，具有出色的環(huán)境穩(wěn)定性以及厚度依賴的半導(dǎo)體特性和磁特性；2024年，山西師范大學科學家可控合成了亞毫米級超薄高質(zhì)量二維鐵磁Cr5Te8材料。
   在海外，瑞典查爾姆斯理工大學研究人員開發(fā)出能夠在室溫下工作的基于二維磁性材料的裝置，采用的是鐵基合金（Fe5GeTe2）和石墨烯；美國麻省理工學院研究團隊開發(fā)出范德華原子層異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件，采用二碲化鎢和鐵鎵碲兩種二維磁性材料。在信息產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展背景下，二維磁性材料的開發(fā)與應(yīng)用已經(jīng)受到各國科研人員的重視，行業(yè)發(fā)展?jié)摿Υ蟆?/P>