第四代半導(dǎo)體是新一代半導(dǎo)體材料，包括超寬禁帶半導(dǎo)體材料、超窄禁帶半導(dǎo)體材料，其中超寬禁帶半導(dǎo)體以氧化鎵（Ga2O3）、金剛石（C）、氮化鋁（AIN）等為代表，超窄禁帶半導(dǎo)體以銻化鎵、銻化銦等銻化物為代表。
　　伴隨人工智能技術(shù)發(fā)展、算力需求提升，硬件端不斷向更小體積、更低功耗等方向發(fā)展，為滿足應(yīng)用需求，第四代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第四代半導(dǎo)體具備體積小、能耗低、功能強(qiáng)、遷移率高、超寬/窄禁帶等特點(diǎn)，在苛刻的環(huán)境下仍能保持良好性能，未來有望替代第三代半導(dǎo)體材料（如碳化硅、氮化鎵等）。
　　第四代半導(dǎo)體在超高壓電力電子器件、量子傳感、量子通信、射頻電子發(fā)射器、深紫外光電探測器等領(lǐng)域具有巨大應(yīng)用前景，2023年全球第四代半導(dǎo)體市場規(guī)模約7.3億元，預(yù)計(jì)2025-2029年，全球第四代半導(dǎo)體市場將以16.0%左右的年均復(fù)合增長率增長。
　　第四代半導(dǎo)體是國際科技必爭戰(zhàn)略高地，國內(nèi)外均在加快四代半導(dǎo)體研制。以氧化鎵為例，氧化鎵是代表性第四代半導(dǎo)體之一，單晶襯底生長方法包括提拉法（直拉法）、導(dǎo)模法、垂直布里奇曼（VB）法等，由于熔點(diǎn)高、易開裂、高溫易分解，氧化鎵單晶制備難度極大，尤其是大尺寸氧化鎵單晶。
　　日本企業(yè)引領(lǐng)著氧化鎵技術(shù)創(chuàng)新，市場占比遙遙領(lǐng)先，包括日本Flosfia、日本NCT等，其中日本NCT的氧化鎵半導(dǎo)體研發(fā)項(xiàng)目已被日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）納入“高輸出和高效功率器件/高頻器件材料技術(shù)開發(fā)”項(xiàng)目，該項(xiàng)目隸屬于日本政府推出的“K計(jì)劃”。
　　近年來，在政府扶持下，我國氧化鎵研制熱情提升，氧化鎵單晶制備不斷取得突破。我國氧化鎵相關(guān)研制機(jī)構(gòu)及企業(yè)包括鎵仁半導(dǎo)體、杭州富加鎵業(yè)、北京銘鎵、北京鎵族科技、中國電科46所、西安郵電大學(xué)等，其中鎵仁半導(dǎo)體利用垂直布里奇曼法成功生長出了4英寸氧化鎵單晶。
　　氧化鎵是目前第四代半導(dǎo)體的主力方向，我國重視度不斷提升，“大尺寸氧化鎵半導(dǎo)體材料與高性能器件研究”項(xiàng)目已被納入國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃專項(xiàng)。在政策支持、科技成果轉(zhuǎn)化加快推動下，我國第四代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)力將不斷提升，未來有望實(shí)現(xiàn)彎道超車。