凸點(diǎn)是一種先進(jìn)的晶圓級(jí)工藝技術(shù)，在將晶圓切成單個(gè)芯片之前，在晶圓上形成由焊料制成的凸點(diǎn)。凸塊可以由共晶、無鉛、高鉛材料或晶圓上的銅柱組成，是將芯片和基板連接在一起的基本互連組件。凸塊根據(jù)材質(zhì)可以分為金凸塊、銅鎳金凸塊、銅柱凸塊、焊球凸塊。伴隨著半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，凸點(diǎn)尺寸也在不斷縮小，目前微凸塊（μBump）已經(jīng)達(dá)到間距為幾十微米。
   凸塊技術(shù)相對(duì)于傳統(tǒng)的引線框架封裝具有一定優(yōu)勢(shì)，電氣連接的損耗明顯減少，分布電感變小，更適合高速信號(hào)傳輸；能夠在更小的空間內(nèi)形成更多的I/O口，實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)處理帶寬。微凸塊技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用可以進(jìn)一步助力電子封裝實(shí)現(xiàn)小型化、輕薄化。
   半導(dǎo)體封裝是提升半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能，降低技術(shù)成本，最終實(shí)現(xiàn)良品率的提高和工藝節(jié)點(diǎn)的突破，是后摩爾時(shí)代技術(shù)創(chuàng)新的主流方向之一，主要有保護(hù)、支撐、連接和散熱的作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，先進(jìn)封裝已經(jīng)成為半導(dǎo)體封裝的發(fā)展方向。微凸塊（μBump）在倒裝封裝（Flip-Chip）、扇出型（Fan-out）封裝、芯片級(jí)封裝（CSP）、三維立體封裝）（3D）、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等先進(jìn)封裝技術(shù)中均有應(yīng)用，目前應(yīng)用最多的領(lǐng)域?yàn)榈寡b封裝（Flip-Chip）。在倒裝封裝中，使用焊料凸塊將硅芯片直接連接到基板上在電氣、機(jī)械和熱性能方面起著重要作用。
    凸塊制造技術(shù)起源于IBM在20世紀(jì)60年代開發(fā)的C4工藝，技術(shù)使用金屬共熔凸點(diǎn)將芯片直接焊在基片的焊盤上，焊點(diǎn)提供了與基片的電路和物理連接。目前，凸塊的制作方法有多種，每種方法都各有其優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的工藝要求。凸塊制造過程一般是基于定制的光掩模，通過真空濺鍍、黃光、電鍍、蝕刻等環(huán)節(jié)而成。凸點(diǎn)工藝在產(chǎn)業(yè)鏈中的位置介于前道晶圓制造和后道封裝測(cè)試之間，被稱作“中道”制造。微凸塊技術(shù)作為倒裝封裝和板級(jí)半導(dǎo)體封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)的關(guān)鍵材料之一，目前國(guó)內(nèi)如華天科技擁有從C4到C2以及微凸點(diǎn)制備的技術(shù)。
    預(yù)計(jì)今后幾年，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，對(duì)更高密度互連的需求推動(dòng)了微凸塊技術(shù)的發(fā)展，微凸塊的市場(chǎng)需求將會(huì)進(jìn)一步增長(zhǎng)，行業(yè)具有較大的發(fā)展空間。