新型存儲(chǔ)器包括相變存儲(chǔ)器（PCM）、阻變存儲(chǔ)器（RRAM）、磁變存儲(chǔ)器（MRAM）、鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）等類型。相變存儲(chǔ)器（PCM）指利用硫族化合物或氧化物等特殊材料在不同相態(tài)之間的轉(zhuǎn)換來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器。PCM具有快速讀寫速度快、功耗低、存儲(chǔ)密度高、使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，在人工智能、電子產(chǎn)品以及無線通信等領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。
相變存儲(chǔ)器以相變材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)，包括硫族化合物、氧化物等。鍺銻碲合金（GST）擁有極佳光學(xué)性質(zhì)及電學(xué)性質(zhì)，是一種技術(shù)成熟度極高的硫族相變材料。目前，我國(guó)已有多家具備鍺銻碲合金生產(chǎn)實(shí)力，這將為相變存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展奠定良好基礎(chǔ)。
三維相變存儲(chǔ)器（3D PCM）為PCM代表產(chǎn)品。3D PCM指基于三維堆疊技術(shù)，由選通單元、存儲(chǔ)單元兩部分構(gòu)成的存儲(chǔ)器，雙向閾值開關(guān)為其選通單元核心組件。3D PCM能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)分層存儲(chǔ)，為極具發(fā)展前景的存儲(chǔ)器。但目前，受原材料供應(yīng)不足、生產(chǎn)成本高、技術(shù)壁壘高等因素限制，我國(guó)3D PCM市場(chǎng)占比較低。未來伴隨研究深入，技術(shù)進(jìn)步，3D PCM行業(yè)發(fā)展速度將進(jìn)一步加快。
PCM存儲(chǔ)速度極快，為傳統(tǒng)FLASH存儲(chǔ)器以及EEPROM存儲(chǔ)器替代產(chǎn)品，在人工智能、電子產(chǎn)品以及無線通信等領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。近年來，在國(guó)家政策支持以及技術(shù)進(jìn)步等積極因素推動(dòng)下，我國(guó)人工智能行業(yè)景氣度不斷提升。2023年我國(guó)人工智能市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到近2200億元。在此背景下，PCM應(yīng)用需求將有所增長(zhǎng)，
 全球PCM市場(chǎng)主要參與者包括日本東芝株式會(huì)社（TOSHIBA）、美國(guó)英特爾公司（Intel）、美國(guó)美光公司（Micron）、韓國(guó)三星集團(tuán)（SAMSUNG）等。在本土方面，與海外發(fā)達(dá)國(guó)家相比，我國(guó)PCM行業(yè)起步較晚，但發(fā)展勢(shì)頭迅猛，已有多家企業(yè)具備其生產(chǎn)實(shí)力，包括納思達(dá)股份、時(shí)代全芯（AMT）、東芯股份等。時(shí)代全芯為我國(guó)首家擁有相變存儲(chǔ)技術(shù)的企業(yè)，目前已具備PCM量產(chǎn)能力。
PCM作為新型存儲(chǔ)器，應(yīng)用前景廣闊，行業(yè)發(fā)展速度不斷加快。未來隨著我國(guó)人工智能、5G等高新技術(shù)不斷進(jìn)步，PCM市場(chǎng)需求將進(jìn)一步增長(zhǎng)。在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面，我國(guó)企業(yè)已具備PCM量產(chǎn)能力，技術(shù)水平已到達(dá)全球領(lǐng)先。