雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體簡(jiǎn)稱DMOS，是MOS管的一種。MOS管全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，又稱為MOSFET，是一種利用改變電壓來控制電流的半導(dǎo)體器件。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2024-2029年雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（DMOS）行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資前景預(yù)測(cè)分析報(bào)告》顯示，MOS管在汽車電子、消費(fèi)電子、通訊等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，其中汽車電子是主要應(yīng)用領(lǐng)域，2023年占比達(dá)24.0%以上。近年來，MOS管發(fā)展迅速，2023年我國MOS管市場(chǎng)規(guī)模達(dá)50億美元以上。DMOS作為其細(xì)分產(chǎn)品，市場(chǎng)規(guī)模也處于增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
根據(jù)溝道方向不同，DMOS分為垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（VDMOS）、橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS），兩者各具特點(diǎn)。VDMOS具有垂直溝道，擊穿電壓和電流處理能力更高，但導(dǎo)通電阻較大；LDMOS具有橫向溝道，相比于VDMOS器件，其導(dǎo)通電阻更低、開關(guān)速度更快。
VDMOS分為常規(guī)VDMOS和超結(jié)VDMOS，其中超結(jié)VDMOS是在常規(guī)VDMOS基礎(chǔ)上，引入超結(jié)結(jié)構(gòu)得到。超結(jié)VDMOS主要有多次外延工藝、深槽刻蝕加摻雜工藝兩種實(shí)現(xiàn)方式。多次外延工藝難度較低，但超結(jié)結(jié)構(gòu)需要多次外延和光刻，導(dǎo)致其制造成本較高；深槽刻蝕加摻雜工藝成本低，根據(jù)摻雜方式不同，其分為深槽刻蝕加外延填充、深槽刻蝕加斜角注入摻雜、深槽刻蝕加氣相摻雜等工藝。
超結(jié)VDMOS具有低電阻、高導(dǎo)通能力、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，在高功率電子器件中應(yīng)用廣泛，目前已在電動(dòng)工具、噴墨打印、電源開關(guān)、消費(fèi)電子、汽車電子、通訊電源等產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用。
導(dǎo)通電阻、擊穿電壓、開啟電壓、柵源漏電等是MOS管的關(guān)鍵參數(shù)，由于其通態(tài)功耗較高，導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制而存在“硅極限”。超結(jié)VDMOS克服了MOS管存在的導(dǎo)通電阻隨擊穿電壓急劇增大的問題，系統(tǒng)效率更高，隨著需求升級(jí)，未來超結(jié)VDMOS應(yīng)用將更加廣泛。
全球范圍內(nèi)，DMOS相關(guān)企業(yè)有安森美半導(dǎo)體公司、意法半導(dǎo)體公司、英飛凌科技、Wolfspeed公司、Fairchild公司、富士電機(jī)、上海華虹半導(dǎo)體、龍騰半導(dǎo)體等。
DMOS出現(xiàn)于上世紀(jì)70年代，憑借其優(yōu)勢(shì)，DMOS在消費(fèi)電子、汽車電子、噴墨打印、電源開關(guān)等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。我國是全球電子器件制造中心，DMOS市場(chǎng)需求空間廣闊，尤其是超結(jié)VDMOS。經(jīng)過不斷發(fā)展，國產(chǎn)DMOS與進(jìn)口DMOS之間的差距逐漸縮小，但在高端DMOS領(lǐng)域，國外企業(yè)仍具有明顯競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。