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報告簡介
報告目錄
2022-2027年中國第三代半導體產業(yè)發(fā)展趨勢分析及投資風險預測報告
第一章 第三代半導體相關概述
第二章 2019-2021年全球第三代半導體產業(yè)發(fā)展分析
2.1 2019-2021年全球第三代半導體產業(yè)運行狀況
2.1.1 標準制定情況
2.1.2 國際產業(yè)格局
2.1.3 市場發(fā)展規(guī)模
2.1.4 市場結構分析
2.1.5 新品研發(fā)情況
2.1.6 研發(fā)項目規(guī)劃
2.1.7 應用領域格局
2.1.8 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
2.1.9 企業(yè)發(fā)展布局
2.1.10 企業(yè)競爭格局
2.2 美國
2.2.1 研發(fā)支出規(guī)模
2.2.2 產業(yè)技術優(yōu)勢
2.2.3 技術創(chuàng)新中心
2.2.4 技術研發(fā)動向
2.2.5 戰(zhàn)略層面部署
2.3 日本
2.3.1 產業(yè)發(fā)展計劃
2.3.2 研究成果豐碩
2.3.3 封裝技術聯盟
2.3.4 照明領域狀況
2.3.5 研究領先進展
2.4 歐盟
2.4.1 研發(fā)項目歷程
2.4.2 產業(yè)發(fā)展基礎
2.4.3 前沿企業(yè)格局
2.4.4 未來發(fā)展熱點
第三章 2019-2021年中國第三代半導體產業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析
3.1 政策環(huán)境（Political）
3.1.1 中央部委政策支持
3.1.2 地方政府扶持政策
3.1.3 重點支持政策解讀
3.1.4 中美貿易摩擦影響
3.2 經濟環(huán)境（Economic）
3.2.1 宏觀經濟概況
3.2.2 工業(yè)運行情況
3.2.3 經濟結構升級
3.2.4 未來經濟展望
3.3 社會環(huán)境（Social）
3.3.1 社會教育水平
3.3.2 知識專利水平
3.3.3 研發(fā)經費投入
3.3.4 技術人才儲備
3.4 技術環(huán)境（Technological）
3.4.1 專利技術構成
3.4.2 科技計劃專項
3.4.3 國際技術成熟
3.4.4 產業(yè)技術聯盟
第四章 2019-2021年中國第三代半導體產業(yè)發(fā)展分析
4.1 中國第三代半導體產業(yè)發(fā)展特點
4.1.1 企業(yè)以IDM模式為主
4.1.2 制備工藝不追求頂尖
4.1.3 襯底和外延是關鍵環(huán)節(jié)
4.1.4 各國政府高度重視發(fā)展
4.1.5 軍事用途導致技術禁運
4.2 2019-2021年中國第三代半導體產業(yè)發(fā)展運行綜述
4.2.1 產業(yè)發(fā)展現狀
4.2.2 產業(yè)整體產值
4.2.3 產線產能規(guī)模
4.2.4 產業(yè)標準規(guī)范
4.2.5 國產替代狀況
4.3 2019-2021年中國第三代半導體市場運行狀況分析
4.3.1 市場發(fā)展規(guī)模
4.3.2 細分市場結構
4.3.3 市場應用分布
4.3.4 企業(yè)競爭格局
4.3.5 企業(yè)發(fā)展布局
4.3.6 產品發(fā)展動力
4.4 2019-2021年中國第三代半導體上游原材料市場發(fā)展分析
4.4.1 上游金屬硅產能釋放
4.4.2 上游金屬硅價格走勢
4.4.3 上游氧化鋅市場現狀
4.4.4 上游材料產業(yè)鏈布局
4.4.5 上游材料競爭狀況分析
4.5 中國第三代半導體產業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1 產業(yè)發(fā)展問題
4.5.2 市場推進難題
4.5.3 技術發(fā)展挑戰(zhàn)
4.5.4 材料發(fā)展挑戰(zhàn)
4.6 中國第三代半導體產業(yè)發(fā)展建議及對策
4.6.1 產業(yè)發(fā)展建議
4.6.2 建設發(fā)展聯盟
4.6.3 加強企業(yè)培育
4.6.4 集聚產業(yè)人才
4.6.5 推動應用示范
4.6.6 材料發(fā)展思路
第五章 2019-2021年第三代半導體氮化鎵（GAN）材料及器件發(fā)展分析
5.1 GaN材料基本性質及制備工藝發(fā)展狀況
5.1.1 GaN產業(yè)鏈
5.1.2 GaN結構性能
5.1.3 GaN制備工藝
5.1.4 GaN材料類型
5.1.5 技術專利發(fā)展
5.1.6 技術發(fā)展趨勢
5.2 GaN材料市場發(fā)展概況分析
5.2.1 市場發(fā)展規(guī)模
5.2.2 材料價格走勢
5.2.3 材料技術水平
5.2.4 應用市場結構
5.2.5 應用市場預測
5.2.6 市場競爭狀況
5.3 GaN器件及產品研發(fā)情況
5.3.1 器件產品類別
5.3.2 GaN晶體管
5.3.3 射頻器件產品
5.3.4 電力電子器件
5.3.5 器件產品研發(fā)
5.4 GaN器件應用領域及發(fā)展情況
5.4.1 電子電力器件應用
5.4.2 高頻功率器件應用
5.4.3 器件應用發(fā)展狀況
5.4.4 應用實現條件與對策
5.5 GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1 器件技術難題
5.5.2 電源技術瓶頸
5.5.3 風險控制建議
第六章 2019-2021年第三代半導體碳化硅（SIC）材料及器件發(fā)展分析
6.1 SiC材料基本性質與制備技術發(fā)展狀況
6.1.1 SiC性能特點
6.1.2 SiC制備工藝
6.1.3 SiC產品類型
6.1.4 單晶技術專利
6.1.5 技術發(fā)展趨勢
6.2 SiC材料市場發(fā)展概況分析
6.2.1 材料價格走勢
6.2.2 材料市場規(guī)模
6.2.3 材料技術水平
6.2.4 市場應用結構
6.2.5 市場競爭格局
6.2.6 企業(yè)研發(fā)布局
6.3 SiC器件及產品研發(fā)情況
6.3.1 電力電子器件
6.3.2 功率模塊產品
6.3.3 器件產品研發(fā)
6.3.4 產品發(fā)展趨勢
6.4 SiC器件應用領域及發(fā)展情況
6.4.1 應用整體技術路線
6.4.2 電網應用技術路線
6.4.3 電力牽引應用技術路線
6.4.4 電動汽車應用技術路線
6.4.5 家用電器和消費類電子應用
第七章 2019-2021年第三代半導體其他材料發(fā)展狀況分析
7.1 Ⅲ族氮化物半導體材料發(fā)展分析
7.1.1 基礎概念介紹
7.1.2 材料結構性能
7.1.3 材料制備工藝
7.1.4 主要器件產品
7.1.5 應用發(fā)展狀況
7.1.6 發(fā)展建議對策
7.2 寬禁帶氧化物半導體材料發(fā)展分析
7.2.1 基本概念介紹
7.2.2 材料結構性能
7.2.3 材料制備工藝
7.2.4 主要應用器件
7.3 氧化鎵（Ga2O3）半導體材料發(fā)展分析
7.3.1 材料結構性能
7.3.2 材料制備工藝
7.3.3 主要技術發(fā)展
7.3.4 器件應用發(fā)展
7.3.5 未來發(fā)展趨勢
7.4 金剛石半導體材料發(fā)展分析
7.4.1 材料結構性能
7.4.2 襯底制備工藝
7.4.3 主要器件產品
7.4.4 應用發(fā)展狀況
7.4.5 器件研發(fā)進展
7.4.6 未來發(fā)展前景
第八章 2019-2021年第三代半導體下游應用領域發(fā)展分析
8.1 第三代半導體下游產業(yè)應用領域發(fā)展概況
8.1.1 下游應用產業(yè)分布
8.1.2 下游產業(yè)優(yōu)勢特點
8.1.3 下游產業(yè)需求旺盛
8.2 2019-2021年電子電力領域發(fā)展狀況
8.2.1 全球市場發(fā)展規(guī)模
8.2.2 國內市場發(fā)展規(guī)模
8.2.3 國內器件應用分布
8.2.4 國內應用市場規(guī)模
8.2.5 器件廠商布局分析
8.2.6 器件產品價格走勢
8.3 2019-2021年微波射頻領域發(fā)展狀況
8.3.1 射頻器件市場規(guī)模
8.3.2 射頻器件市場結構
8.3.3 射頻器件市場需求
8.3.4 射頻器件價格走勢
8.3.5 國防基站應用規(guī)模
8.4 2019-2021年半導體照明領域發(fā)展狀況
8.4.1 發(fā)展政策支持
8.4.2 行業(yè)發(fā)展規(guī)模
8.4.3 產業(yè)鏈條產值
8.4.4 應用市場分布
8.4.5 照明技術突破
8.4.6 照明發(fā)展方向
8.4.7 行業(yè)發(fā)展展望
8.5 2019-2021年半導體激光器發(fā)展狀況
8.5.1 市場規(guī)�，F狀
8.5.2 企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3 應用研發(fā)現狀
8.5.4 主要技術分析
8.5.5 未來發(fā)展趨勢
8.6 2019-2021年5G新基建領域發(fā)展狀況
8.6.1 5G建設進程
8.6.2 應用市場規(guī)模
8.6.3 賦能射頻產業(yè)
8.6.4 應用發(fā)展方向
8.6.5 產業(yè)發(fā)展展望
8.7 2019-2021年新能源汽車領域發(fā)展狀況
8.7.1 行業(yè)市場規(guī)模
8.7.2 主要應用場景
8.7.3 應用市場規(guī)模
8.7.4 企業(yè)布局情況
8.7.5 市場需求預測
第九章 2019-2021年第三代半導體材料產業(yè)區(qū)域發(fā)展分析
9.1 2019-2021年第三代半導體產業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1 產業(yè)區(qū)域分布
9.1.2 重點區(qū)域建設
9.2 京津翼地區(qū)第三代半導體產業(yè)發(fā)展分析
9.2.1 北京產業(yè)發(fā)展狀況
9.2.2 順義產業(yè)扶持政策
9.2.3 保定產業(yè)項目動態(tài)
9.2.4 應用聯合創(chuàng)新基地
9.2.5 區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.3 中西部地區(qū)第三代半導體產業(yè)發(fā)展分析
9.3.1 四川產業(yè)發(fā)展狀況
9.3.2 重慶相關領域態(tài)勢
9.3.3 陜西產業(yè)發(fā)展狀況
9.4 珠三角地區(qū)第三代半導體產業(yè)發(fā)展分析
9.4.1 廣東產業(yè)發(fā)展政策
9.4.2 廣州市產業(yè)支持
9.4.3 深圳產業(yè)發(fā)展狀況
9.4.4 東莞基地發(fā)展建設
9.4.5 區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.5 華東地區(qū)第三代半導體產業(yè)發(fā)展分析
9.5.1 江蘇產業(yè)發(fā)展概況
9.5.2 蘇州產業(yè)聯盟聚集
9.5.3 山東產業(yè)布局動態(tài)
9.5.4 福建產業(yè)發(fā)展狀況
9.5.5 區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.6 第三代半導體產業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1 提高資源整合效率
9.6.2 補足SiC領域短板
9.6.3 開展關鍵技術研發(fā)
9.6.4 鼓勵地方加大投入
第十章 2017-2020年第三代半導體產業(yè)重點企業(yè)經營狀況分析
10.1 三安光電股份有限公司
10.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2 業(yè)務布局動態(tài)
10.1.3 經營效益分析
10.1.4 業(yè)務經營分析
10.1.5 財務狀況分析
10.1.6 核心競爭力分析
10.1.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.1.8 未來前景展望
10.2 北京賽微電子股份有限公司
10.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2 相關業(yè)務布局
10.2.3 經營效益分析
10.2.4 業(yè)務經營分析
10.2.5 財務狀況分析
10.2.6 核心競爭力分析
10.2.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.2.8 未來前景展望
10.3 華潤微電子有限公司
10.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2 經營效益分析
10.3.3 業(yè)務經營分析
10.3.4 財務狀況分析
10.3.5 核心競爭力分析
10.3.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.3.7 未來前景展望
10.4 湖北臺基半導體股份有限公司
10.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2 經營效益分析
10.4.3 業(yè)務經營分析
10.4.4 財務狀況分析
10.4.5 核心競爭力分析
10.4.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.4.7 未來前景展望
10.5 華燦光電股份有限公司
10.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2 經營效益分析
10.5.3 業(yè)務經營分析
10.5.4 財務狀況分析
10.5.5 核心競爭力分析
10.5.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5.7 未來前景展望
10.6 聞泰科技股份有限公司
10.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2 經營效益分析
10.6.3 業(yè)務經營分析
10.6.4 財務狀況分析
10.6.5 核心競爭力分析
10.6.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.6.7 未來前景展望
10.7 株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2 2018年企業(yè)經營狀況分析
10.7.3 2019年企業(yè)經營狀況分析
10.7.4 2020年企業(yè)經營狀況分析
第十一章 第三代半導體產業(yè)投資價值綜合評估
11.1 行業(yè)投資背景
11.1.1 行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2 投資項目分布
11.1.3 投資市場周期
11.1.4 行業(yè)投資前景
11.2 行業(yè)投融資情況
11.2.1 國際投資案例
11.2.2 國內投資案例
11.2.3 國際企業(yè)并購
11.2.4 國內企業(yè)并購
11.2.5 企業(yè)融資動態(tài)
11.3 行業(yè)投資壁壘
11.3.1 技術壁壘
11.3.2 資金壁壘
11.3.3 貿易壁壘
11.4 行業(yè)投資風險
11.4.1 企業(yè)經營風險
11.4.2 技術迭代風險
11.4.3 行業(yè)競爭風險
11.4.4 產業(yè)政策變化風險
11.5 行業(yè)投資建議
11.5.1 積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2 收購企業(yè)實現關鍵技術突破
11.5.3 關注新能源汽車催生需求
11.5.4 國內企業(yè)向IDM模式轉型
11.5.5 加強高校與科研院所合作
11.6 投資項目案例
11.6.1 項目基本概述
11.6.2 投資價值分析
11.6.3 建設內容規(guī)劃
11.6.4 資金需求測算
11.6.5 實施進度安排
11.6.6 經濟效益分析
第十二章 2022-2027年第三代半導體產業(yè)前景與趨勢預測
12.1 第三代半導體未來發(fā)展趨勢
12.1.1 產業(yè)成本趨勢
12.1.2 未來發(fā)展趨勢
12.1.3 應用領域趨勢
12.2 第三代半導體未來發(fā)展前景
12.2.1 重要發(fā)展窗口期
12.2.2 產業(yè)應用前景
12.2.3 產業(yè)發(fā)展機遇
12.2.4 產業(yè)市場機遇
12.2.5 產業(yè)發(fā)展展望
12.3 2022-2027年中國第三代半導體行業(yè)預測分析
附錄
附錄一：新時期促進集成電路產業(yè)和軟件產業(yè)高質量發(fā)展的若干政策
附錄二：關于促進中關村順義園第三代半導體等前沿半導體產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施
圖表目錄
圖表1 不同半導體材料性能比較（一）
圖表2 不同半導體材料性能比較（二）
圖表3 碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢
圖表4 半導體材料發(fā)展歷程及現狀
圖表5 第三代半導體產業(yè)演進示意圖
圖表6 第三代半導體產業(yè)鏈
圖表7 第三代半導體襯底制備流程
圖表8 第三代半導體產業(yè)鏈全景圖
圖表9 第三代半導體健康的產業(yè)生態(tài)體系
圖表10 2016-2018年全球第三代半導體材料市場規(guī)模與增長
圖表11 2018年全球第三代半導體材料市場結構
圖表12 2017-2020年全球在售SiC、GaN器件及模塊產品數量（款）
圖表13 2018年各國/組織第三代半導體領域研發(fā)項目（一）
圖表14 2018年各國/組織第三代半導體領域研發(fā)項目（二）
圖表15 2018年各國/組織第三代半導體領域研發(fā)項目（三）
圖表16 全球第三代半導體產業(yè)格局
圖表17 美國下一代功率電子技術國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（一）
圖表18 美國下一代功率電子技術國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（二）
圖表19 日本下一代功率半導體封裝技術開發(fā)聯盟成員（一）
圖表20 日本下一代功率半導體封裝技術開發(fā)聯盟成員（二）
圖表21 歐洲LAST POWER產學研項目成員
圖表22 “十三五”期間中國第三代半導體支持政策匯總（一）
圖表23 “十三五”期間中國第三代半導體支持政策匯總（二）
圖表24 2018年地方政府第三代半導體產業(yè)支持政策匯總（一）
圖表25 2018年地方政府第三代半導體產業(yè)支持政策匯總（二）
圖表26 2019年地方政府第三代半導體產業(yè)支持政策匯總（一）
圖表27 2019年地方政府第三代半導體產業(yè)支持政策匯總（二）
圖表28 《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2019版）》中第三代半導體相關內容
圖表29 《新時期促進集成電路產業(yè)和軟件產業(yè)高質量發(fā)展的若干政策》中第三代半導體相關內容
圖表30 2019年中國GDP初步核算數據
圖表31 2016-2020年國內生產總值及增速
圖表32 2016-2020年三次產業(yè)增加值占國內生產總值比重
圖表33 2020年GDP初步核算數據
圖表34 2019年主要工業(yè)產品產量及其增長速度
圖表35 2016-2020年全部工業(yè)增加值及其增長速度
圖表36 2020年主要工業(yè)產品產量及其增長速度
圖表37 2016-2020年普通本�？啤⒅械嚷殬I(yè)教育及普通高中招生人數
圖表38 2019年專利申請、授權和有效專利情況
圖表39 2016-2020年研究與試驗發(fā)展（R&D）經費支出及其增長速度
圖表40 2020年專利申請、授權和有效專利情況
圖表41 國內高校、研究所與企業(yè)的技術合作與轉化
圖表42 2019年第三代半導體領域全球專利技術構成
圖表43 2018年度國家重點研發(fā)計劃重點專項
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